隨著數據中心適應現代數字工作負載日益增長的需求，對更快、更高容量的內存解決方案的需求變得至關重要。在當今以數據為驅動的格局中，挑戰層出不窮，這些挑戰是由云計算、人工智能、大數據分析和實時處理的需求不斷增加所驅動的。研華科技的SQR-RD5N DDR5 5600MT/s 128GB ECC RDIMM正在引領這一變革，提供了先進技術，使數據中心能夠以出色性能運行。
SQRAM為數據中心帶來哪些好處？
SQR-RD5N的數據傳輸速率高達5600MT/s，明顯快于早期的DDR4模塊。這種高速度對于運行復雜應用的數據中心至關重要，如人工智能和機器學習，這些應用需要快速訪問大型數據集。增加的帶寬降低了延遲，使關鍵應用的處理速度更快，運行更加高效。
SQR-RD5N擁有128GB的超大容量，可滿足現代數據中心的大規模內存需求。這種高容量對于涉及大數據、虛擬化和高性能計算的任務特別有益，其中大內存容量對于保持順暢和高效的操作至關重要。
ECC糾錯技術對于數據中心至關重要，因為它能夠檢測并糾正可能導致數據損壞的單bit內存錯誤。通過預防這些錯誤，ECC技術確保了數據的完整性、系統的穩定性和連續運行。
Sidefill側填充技術用于加固焊點，提高對機械沖擊的抵抗力，減少組件故障和系統停機的風險。此外，共形涂層保護內存模塊免受濕氣、灰塵和污染物的侵害，防止腐蝕和電氣干擾，從而提高整個系統的耐用性。
此外，研華科技提供全球現場應用工程師（FAE）的支持和專業知識，確保數據中心無論在何處都能信賴他們提供的內存解決方案。這種支持對于維持全球數據中心的順暢運作至關重要。
研華 SQR-RD5N 是新一代數據中心內存解決方案的代表。它憑借高速、大容量、可靠的ECC和RDIMM技術，旨在滿足現代數據中心的嚴格要求。出色的性能、強可靠性和可擴展性等優勢，使SQRAM成為數據中心優化運營和為未來增長做準備的理想選擇。
- SQRAM RDIMM DDR5 5600 MT/s 128GB（0 ~ 95°C）
- 采用工業級高品質海力士/三星DRAM IC
- 抗硫化保護，適用于惡劣環境
- 30μ” PCB金手指，確保產品耐用性
- 提供附加服務：Sidefill涂層，抗震、抗潮
- 全球FAE支持和專業知識服務
- 終身保固支持
